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Infineon Technologies IPI65R190CFDXKSA1

MFG-Teilenummer
IPI65R190CFDXKSA1
verfügbare Anzahl
79420 Stücke
Referenzpreis
USD 1.621344
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Versanddatum
Wir können heute ausliefern
Hersteller
Infineon Technologies
Kurze Beschreibung
CoolMOS™ MOSFET N-CH 650V 17.5A TO262
Bleifreier Status / RoHS-Status
RoHS-konform (bleifrei)
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
1 (unbegrenzt)
Datumscode (D / C)
Neu
Produktkategorie
Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
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Garantie
360 Tage Qualitätsgarantie
Datenblatt
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IPI65R190CFDXKSA1 Spezifikationen

Herstellerteilenummer IPI65R190CFDXKSA1
Zukünftige Teilenummer FT-IPI65R190CFDXKSA1
SPQ / MOQ kontaktiere uns
Verpackungsmaterial Reel/Tray/Tube/Others
Serie CoolMOS™
IPI65R190CFDXKSA1 Status (Lebenszyklus) Auf Lager
Teilestatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C 17.5A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 190 mOhm @ 7.3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 730µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs 68nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1850pF @ 100V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 151W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Supplier Device Package PG-TO262-3
Paket / fall TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Herkunftsland USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IPI65R190CFDXKSA1 Gewicht kontaktiere uns
Ersatzteilnummer IPI65R190CFDXKSA1-FT

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