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Infineon Technologies IAUT200N08S5N023ATMA1

Name: IAUT200N08S5N023ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IAUT200N08S5N023ATMA1
Price: 1.75736 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (134 reviews)

MFG-Teilenummer: IAUT200N08S5N023ATMA1

verfügbare Anzahl: 79450 Stücke

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Hersteller: Infineon Technologies

Kurze Beschreibung: OptiMOS™-5 80V 200A 2.3MOHM TOLL

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: IAUT200N08S5N023ATMA1.pdf

IAUT200N08S5N023ATMA1 Spezifikationen

Herstellerteilenummer	IAUT200N08S5N023ATMA1
Zukünftige Teilenummer	FT-IAUT200N08S5N023ATMA1
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	OptiMOS™-5
IAUT200N08S5N023ATMA1 Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Active
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	80V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	200A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.3 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.8V @ 130µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	110nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	7670pF @ 40V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	200W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Supplier Device Package	PG-HSOF-8-1
Paket / fall	8-PowerSFN
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IAUT200N08S5N023ATMA1 Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	IAUT200N08S5N023ATMA1-FT

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