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Infineon Technologies IAUT260N10S5N019ATMA1

Name: IAUT260N10S5N019ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IAUT260N10S5N019ATMA1
Price: 2.297728 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (663 reviews)

MFG-Teilenummer: IAUT260N10S5N019ATMA1

verfügbare Anzahl: 50520 Stücke

Referenzpreis: USD 2.297728

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Hersteller: Infineon Technologies

Kurze Beschreibung: OptiMOS™-5 MOSFET75V120V

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: IAUT260N10S5N019ATMA1.pdf

IAUT260N10S5N019ATMA1 Spezifikationen

Herstellerteilenummer	IAUT260N10S5N019ATMA1
Zukünftige Teilenummer	FT-IAUT260N10S5N019ATMA1
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	OptiMOS™-5
IAUT260N10S5N019ATMA1 Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Active
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	260A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.9 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.8V @ 210µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	166nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	11830pF @ 50V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	300W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Supplier Device Package	PG-HSOF-8-1
Paket / fall	8-PowerSFN
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IAUT260N10S5N019ATMA1 Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	IAUT260N10S5N019ATMA1-FT

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