Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / IAUT300N08S5N012ATMA2
Herstellerteilenummer | IAUT300N08S5N012ATMA2 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-IAUT300N08S5N012ATMA2 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | OptiMOS™ |
IAUT300N08S5N012ATMA2 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 80V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 300A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.2 mOhm @ 100A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.8V @ 275µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 231nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 16250pF @ 40V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 375W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | PG-HSOF-8-1 |
Paket / fall | 8-PowerSFN |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IAUT300N08S5N012ATMA2 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | IAUT300N08S5N012ATMA2-FT |
IPI65R190C6XKSA1
Infineon Technologies
IPI65R190CFDXKSA1
Infineon Technologies
IPI65R280C6XKSA1
Infineon Technologies
IPI65R310CFDXKSA1
Infineon Technologies
IPI65R380C6XKSA1
Infineon Technologies
IPI65R420CFDXKSA1
Infineon Technologies
IPI65R600C6XKSA1
Infineon Technologies
IPI65R660CFDXKSA1
Infineon Technologies
IPI70N04S307AKSA1
Infineon Technologies
IPI70N04S406AKSA1
Infineon Technologies
EP1C6T144C6
Intel
LCMXO2-1200ZE-3TG144IR1
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX09-FVQ100
Microsemi Corporation
EP4CE10E22C7N
Intel
XC5VLX30-1FF676I
Xilinx Inc.
AGL600V2-FG144
Microsemi Corporation
LCMXO2-7000HC-6BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-8E-5MN132C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA1D4F31I3N
Intel
EP4CE55F29C6
Intel