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Infineon Technologies IGLD60R070D1AUMA1

Name: IGLD60R070D1AUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IGLD60R070D1AUMA1
Price: 12.759824 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (261 reviews)

MFG-Teilenummer: IGLD60R070D1AUMA1

verfügbare Anzahl: 33800 Stücke

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Hersteller: Infineon Technologies

Kurze Beschreibung: CoolGaN™ IC GAN FET 600V 60A 8SON

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: IGLD60R070D1AUMA1.pdf

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IGLD60R070D1AUMA1 Spezifikationen

Herstellerteilenummer	IGLD60R070D1AUMA1
Zukünftige Teilenummer	FT-IGLD60R070D1AUMA1
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	CoolGaN™
IGLD60R070D1AUMA1 Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Active
FET-Typ	N-Channel
Technologie	GaNFET (Gallium Nitride)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	600V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	15A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	-
Vgs (th) (Max) @ Id	1.6V @ 2.6mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	-
Vgs (Max)	-10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	380pF @ 400V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	114W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Supplier Device Package	PG-LSON-8-1
Paket / fall	8-LDFN Exposed Pad
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IGLD60R070D1AUMA1 Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	IGLD60R070D1AUMA1-FT

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