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Herstellerteilenummer | IHB4BV4R7M |
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Zukünftige Teilenummer | FT-IHB4BV4R7M |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | IHB |
IHB4BV4R7M Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Art | Wirewound |
Material - Kern | - |
Induktivität | 4.7µH |
Toleranz | ±20% |
Aktuelle Bewertung | 27.6A |
Strom - Sättigung | - |
Abschirmung | Unshielded |
Gleichstromwiderstand (DCR) | 3 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frequenz - Eigenresonanz | - |
Bewertungen | - |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 130°C |
Induktivitätsfrequenz - Test | 1kHz |
Eigenschaften | - |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | Radial |
Supplier Device Package | - |
Größe / Abmessung | 1.600" Dia (40.64mm) |
Höhe - sitzend (max.) | 1.030" (26.16mm) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IHB4BV4R7M Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | IHB4BV4R7M-FT |
IHB2EB2R2M
Vishay Dale
IHB2EB2R7M
Vishay Dale
IHB2EB330K
Vishay Dale
IHB2EB331K
Vishay Dale
IHB2EB390K
Vishay Dale
IHB2EB391K
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IHB2EB3R3M
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IHB2EB3R9M
Vishay Dale
IHB2EB470K
Vishay Dale
IHB2EB471K
Vishay Dale
XC3S1200E-4FT256C
Xilinx Inc.
XC7S100-2FGGA676C
Xilinx Inc.
A3P400-2FGG484
Microsemi Corporation
A42MX16-PQ208A
Microsemi Corporation
ICE65L04F-TVQ100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CGX110DF27I7
Intel
EP1K10FC256-1N
Intel
A42MX16-3PQ160
Microsemi Corporation
LCMXO2280E-3FTN324I
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA5M13C8N
Intel