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Herstellerteilenummer | IHB5BV4R7M |
---|---|
Zukünftige Teilenummer | FT-IHB5BV4R7M |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | IHB |
IHB5BV4R7M Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Art | Wirewound |
Material - Kern | - |
Induktivität | 4.7µH |
Toleranz | ±20% |
Aktuelle Bewertung | 29.5A |
Strom - Sättigung | - |
Abschirmung | Unshielded |
Gleichstromwiderstand (DCR) | 3 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frequenz - Eigenresonanz | - |
Bewertungen | - |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 130°C |
Induktivitätsfrequenz - Test | 1kHz |
Eigenschaften | - |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | Radial |
Supplier Device Package | - |
Größe / Abmessung | 1.600" Dia (40.64mm) |
Höhe - sitzend (max.) | 1.450" (36.83mm) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IHB5BV4R7M Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | IHB5BV4R7M-FT |
IHB3BV681K
Vishay Dale
IHB3BV821K
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A1425A-PQ100I
Microsemi Corporation
XC2S50E-6FTG256I
Xilinx Inc.
M1A3P600L-1FGG484I
Microsemi Corporation
LFE5U-25F-7BG381I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K200CF672C8
Intel
XC7K410T-1FFG676C
Xilinx Inc.
LFXP3C-4Q208I
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP15E-4FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SE230F29C3N
Intel
EP1S10F780I6
Intel