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Herstellerteilenummer | IHB6BV820K |
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Zukünftige Teilenummer | FT-IHB6BV820K |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | IHB |
IHB6BV820K Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Art | Wirewound |
Material - Kern | - |
Induktivität | 82µH |
Toleranz | ±10% |
Aktuelle Bewertung | 19.4A |
Strom - Sättigung | - |
Abschirmung | Unshielded |
Gleichstromwiderstand (DCR) | 10 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frequenz - Eigenresonanz | - |
Bewertungen | - |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 130°C |
Induktivitätsfrequenz - Test | 1kHz |
Eigenschaften | - |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | Radial |
Supplier Device Package | - |
Größe / Abmessung | 2.000" Dia (50.80mm) |
Höhe - sitzend (max.) | 1.500" (38.10mm) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IHB6BV820K Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | IHB6BV820K-FT |
IHB4BV561K
Vishay Dale
IHB4BV562K
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IHB4BV680K
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LFE2-6E-7T144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC7A35T-1FT256I
Xilinx Inc.
A54SX72A-2FG484I
Microsemi Corporation
LFE2-70E-5F900I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K300EFI672-2X
Intel
5SGXEA7K2F40C2L
Intel
5AGXBA3D4F27C4N
Intel
EP1AGX90EF1152C6
Intel
XC4VLX40-11FF1148I
Xilinx Inc.
LFE3-70E-7FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation