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Herstellerteilenummer | IHB6EB123K |
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Zukünftige Teilenummer | FT-IHB6EB123K |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | IHB |
IHB6EB123K Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Art | Wirewound |
Material - Kern | - |
Induktivität | 12mH |
Toleranz | ±10% |
Aktuelle Bewertung | 1.6A |
Strom - Sättigung | - |
Abschirmung | Unshielded |
Gleichstromwiderstand (DCR) | 1.54 Ohm Max |
Q @ Freq | - |
Frequenz - Eigenresonanz | - |
Bewertungen | - |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 130°C |
Induktivitätsfrequenz - Test | 1kHz |
Eigenschaften | - |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | Radial |
Supplier Device Package | - |
Größe / Abmessung | 2.000" Dia (50.80mm) |
Höhe - sitzend (max.) | 1.500" (38.10mm) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IHB6EB123K Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | IHB6EB123K-FT |
IHB4BV820K
Vishay Dale
IHB4BV821K
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EPF10K20TC144-4
Intel
LFEC3E-4TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
M2GL010-1VF400
Microsemi Corporation
AGL030V5-VQ100I
Microsemi Corporation
5SGXEA5N1F40I2N
Intel
XC2V2000-4FFG896C
Xilinx Inc.
A42MX24-1PQ160
Microsemi Corporation
LFE2-20E-6F672C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-35SE-7F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX125EF29C6ES
Intel