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Herstellerteilenummer | IHB6EB221K |
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Zukünftige Teilenummer | FT-IHB6EB221K |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | IHB |
IHB6EB221K Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Art | Wirewound |
Material - Kern | - |
Induktivität | 220µH |
Toleranz | ±10% |
Aktuelle Bewertung | 11.6A |
Strom - Sättigung | - |
Abschirmung | Unshielded |
Gleichstromwiderstand (DCR) | 28 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frequenz - Eigenresonanz | - |
Bewertungen | - |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 130°C |
Induktivitätsfrequenz - Test | 1kHz |
Eigenschaften | - |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | Radial |
Supplier Device Package | - |
Größe / Abmessung | 2.000" Dia (50.80mm) |
Höhe - sitzend (max.) | 1.500" (38.10mm) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IHB6EB221K Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | IHB6EB221K-FT |
IHB4EB100K
Vishay Dale
IHB4EB102K
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XC6SLX45-2FGG676C
Xilinx Inc.
XCKU060-2FFVA1517E
Xilinx Inc.
AT40K10-2DQC
Microchip Technology
5SGXEA9K3H40I3N
Intel
XC5VLX330T-1FFG1738I
Xilinx Inc.
A3P600-FGG144
Microsemi Corporation
LCMXO1200C-4M132I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-35EA-8FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-1200ZE-3MG132IR1
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX70DF29I3
Intel