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Infineon Technologies IPA126N10N3GXKSA1

Name: IPA126N10N3GXKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPA126N10N3GXKSA1
Price: 0.869952 USD
Availability: InStock
Rating: 4.9 (438 reviews)

MFG-Teilenummer: IPA126N10N3GXKSA1

verfügbare Anzahl: 68440 Stücke

Referenzpreis: USD 0.869952

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Hersteller: Infineon Technologies

Kurze Beschreibung: OptiMOS™ MOSFET N-CH 100V 35A TO220-FP

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: IPA126N10N3GXKSA1.pdf

IPA126N10N3GXKSA1 Spezifikationen

Herstellerteilenummer	IPA126N10N3GXKSA1
Zukünftige Teilenummer	FT-IPA126N10N3GXKSA1
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	OptiMOS™
IPA126N10N3GXKSA1 Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Not For New Designs
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	35A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	12.6 mOhm @ 35A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.5V @ 45µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	35nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	2500pF @ 50V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	33W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole
Supplier Device Package	PG-TO220-FP
Paket / fall	TO-220-3 Full Pack
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IPA126N10N3GXKSA1 Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	IPA126N10N3GXKSA1-FT

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