Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / IPA180N10N3GXKSA1
Herstellerteilenummer | IPA180N10N3GXKSA1 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-IPA180N10N3GXKSA1 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | OptiMOS™ |
IPA180N10N3GXKSA1 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Not For New Designs |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 100V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 28A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 18 mOhm @ 28A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 35µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 25nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1800pF @ 50V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 30W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Supplier Device Package | PG-TO220-FP |
Paket / fall | TO-220-3 Full Pack |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPA180N10N3GXKSA1 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | IPA180N10N3GXKSA1-FT |
BSP603S2LHUMA1
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BSP613P
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BSP613PH6327XTSA1
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