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Infineon Technologies IPA65R1K0CEXKSA1

Name: IPA65R1K0CEXKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPA65R1K0CEXKSA1
Price: 0.92 USD
Availability: InStock
Rating: 4.9 (344 reviews)

MFG-Teilenummer: IPA65R1K0CEXKSA1

verfügbare Anzahl: 76200 Stücke

Referenzpreis: USD 0.92

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Hersteller: Infineon Technologies

Kurze Beschreibung: CoolMOS™ MOSFET N-CH 650V TO220-3

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: IPA65R1K0CEXKSA1.pdf

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IPA65R1K0CEXKSA1 Spezifikationen

Herstellerteilenummer	IPA65R1K0CEXKSA1
Zukünftige Teilenummer	FT-IPA65R1K0CEXKSA1
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	CoolMOS™
IPA65R1K0CEXKSA1 Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Active
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	650V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	7.2A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1 Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.5V @ 200µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	15.3nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	328pF @ 100V
FET-Funktion	Super Junction
Verlustleistung (max.)	68W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole
Supplier Device Package	PG-TO220 Full Pack
Paket / fall	TO-220-3 Full Pack
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IPA65R1K0CEXKSA1 Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	IPA65R1K0CEXKSA1-FT

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