Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / IPAN60R800CEXKSA1
Herstellerteilenummer | IPAN60R800CEXKSA1 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-IPAN60R800CEXKSA1 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | CoolMOS™ |
IPAN60R800CEXKSA1 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 600V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 8.4A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 800 mOhm @ 2A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 170µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 17.2nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 373pF @ 100V |
FET-Funktion | Super Junction |
Verlustleistung (max.) | 27W (Tc) |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Supplier Device Package | PG-TO220 Full Pack |
Paket / fall | TO-220-3 Full Pack |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPAN60R800CEXKSA1 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | IPAN60R800CEXKSA1-FT |
BSP149 E6327
Infineon Technologies
BSP149 E6906
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BSP149L6327HTSA1
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