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Infineon Technologies IPB039N10N3GE8187ATMA1

Name: IPB039N10N3GE8187ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPB039N10N3GE8187ATMA1
Price: 1.338936 USD
Availability: InStock
Rating: 4.9 (433 reviews)

MFG-Teilenummer: IPB039N10N3GE8187ATMA1

verfügbare Anzahl: 94680 Stücke

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Hersteller: Infineon Technologies

Kurze Beschreibung: OptiMOS™ MOSFET N-CH 100V 160A TO263-7

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: IPB039N10N3GE8187ATMA1.pdf

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IPB039N10N3GE8187ATMA1 Spezifikationen

Herstellerteilenummer	IPB039N10N3GE8187ATMA1
Zukünftige Teilenummer	FT-IPB039N10N3GE8187ATMA1
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	OptiMOS™
IPB039N10N3GE8187ATMA1 Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Active
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	160A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.9 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.5V @ 160µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	117nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	8410pF @ 50V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	214W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Supplier Device Package	PG-TO263-7
Paket / fall	TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IPB039N10N3GE8187ATMA1 Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	IPB039N10N3GE8187ATMA1-FT

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