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Infineon Technologies IPB160N04S2L03ATMA2

MFG-Teilenummer
IPB160N04S2L03ATMA2
verfügbare Anzahl
47000 Stücke
Referenzpreis
USD 0
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Versanddatum
Wir können heute ausliefern
Hersteller
Infineon Technologies
Kurze Beschreibung
Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ MOSFET N-CH TO262-7
Bleifreier Status / RoHS-Status
RoHS-konform (bleifrei)
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
1 (unbegrenzt)
Datumscode (D / C)
Neu
Produktkategorie
Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
Lagerressource
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Garantie
360 Tage Qualitätsgarantie
Datenblatt
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IPB160N04S2L03ATMA2 Spezifikationen

Herstellerteilenummer IPB160N04S2L03ATMA2
Zukünftige Teilenummer FT-IPB160N04S2L03ATMA2
SPQ / MOQ kontaktiere uns
Verpackungsmaterial Reel/Tray/Tube/Others
Serie Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
IPB160N04S2L03ATMA2 Status (Lebenszyklus) Auf Lager
Teilestatus Discontinued at Future Semiconductor
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C 160A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.7 mOhm @ 80A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs 230nC @ 5V
Vgs (Max) ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 6000pF @ 15V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 300W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Supplier Device Package PG-TO263-7-3
Paket / fall TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Herkunftsland USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IPB160N04S2L03ATMA2 Gewicht kontaktiere uns
Ersatzteilnummer IPB160N04S2L03ATMA2-FT

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