Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / IPB25N06S3L-22
Herstellerteilenummer | IPB25N06S3L-22 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-IPB25N06S3L-22 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | OptiMOS™ |
IPB25N06S3L-22 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 55V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 25A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 21.3 mOhm @ 17A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 20µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 47nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±16V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2260pF @ 25V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 50W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | PG-TO263-3-2 |
Paket / fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPB25N06S3L-22 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | IPB25N06S3L-22-FT |
IPB048N06LGATMA1
Infineon Technologies
IPB048N15N5ATMA1
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IPB048N15N5LFATMA1
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IPB049N06L3GATMA1
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IPB049N08N5ATMA1
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IPB04N03LA
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IPB04N03LA G
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IPB04N03LAT
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IPB04N03LB
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IPB04N03LB G
Infineon Technologies
A1010B-2VQ80I
Microsemi Corporation
EPF10K30ATC144-1
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XC3S500E-4PQ208I
Xilinx Inc.
AFS090-2FG256I
Microsemi Corporation
AGL1000V5-FGG256I
Microsemi Corporation
LCMXO3L-4300C-5BG324I
Lattice Semiconductor Corporation
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