Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / IPB60R160C6ATMA1
Herstellerteilenummer | IPB60R160C6ATMA1 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-IPB60R160C6ATMA1 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | CoolMOS™ |
IPB60R160C6ATMA1 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Not For New Designs |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 600V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 23.8A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 160 mOhm @ 11.3A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 750µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 75nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1660pF @ 100V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 176W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | D²PAK (TO-263AB) |
Paket / fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPB60R160C6ATMA1 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | IPB60R160C6ATMA1-FT |
IPB073N15N5ATMA1
Infineon Technologies
IPB075N04LGATMA1
Infineon Technologies
IPB080N06N G
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IPB083N10N3GATMA1
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IPB083N15N5LFATMA1
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IPB085N06L G
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IPB08CNE8N G
Infineon Technologies
IPB090N06N3GATMA1
Infineon Technologies
IPB093N04LGATMA1
Infineon Technologies
XC3S50-4TQG144I
Xilinx Inc.
XC3S5000-4FGG676I
Xilinx Inc.
XC6SLX25-L1FG484I
Xilinx Inc.
A54SX16A-1FG256
Microsemi Corporation
MPF300T-1FCG1152E
Microsemi Corporation
AT6005LV-4AC
Microchip Technology
EP3SL200H780I4L
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LFEC6E-3Q208I
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-17E-6F484C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K2F40E2LG
Intel