Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / IPB60R280P7ATMA1
Herstellerteilenummer | IPB60R280P7ATMA1 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-IPB60R280P7ATMA1 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | CoolMOS™ P7 |
IPB60R280P7ATMA1 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 600V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 12A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 280 mOhm @ 3.8A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 190µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 18nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 761pF @ 400V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 53W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | D²PAK (TO-263AB) |
Paket / fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPB60R280P7ATMA1 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | IPB60R280P7ATMA1-FT |
IPB097N08N3 G
Infineon Technologies
IPB09N03LA
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IPB09N03LA G
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IPB100N06S2L05ATMA1
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A1010B-2VQ80I
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EPF10K30ATC144-1
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AGL1000V5-FGG256I
Microsemi Corporation
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