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Herstellerteilenummer | IPB60R950C6ATMA1 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-IPB60R950C6ATMA1 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | CoolMOS™ |
IPB60R950C6ATMA1 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 600V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 4.4A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 950 mOhm @ 1.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 130µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 13nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 280pF @ 100V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 37W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | D²PAK (TO-263AB) |
Paket / fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPB60R950C6ATMA1 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | IPB60R950C6ATMA1-FT |
IPB100N06S3L-03
Infineon Technologies
IPB100N06S3L-04
Infineon Technologies
IPB100N08S207ATMA1
Infineon Technologies
IPB100N08S2L07ATMA1
Infineon Technologies
IPB100N10S305ATMA1
Infineon Technologies
IPB100N12S305ATMA1
Infineon Technologies
IPB107N20N3GATMA1
Infineon Technologies
IPB107N20NAATMA1
Infineon Technologies
IPB110N06L G
Infineon Technologies
IPB114N03L G
Infineon Technologies
XA6SLX45-3FGG484Q
Xilinx Inc.
A42MX36-2BGG272I
Microsemi Corporation
M2GL090-FGG484
Microsemi Corporation
MPF300T-1FCG1152E
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-4FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL200F1517C2N
Intel
5SGXMA3K2F35I3N
Intel
XC5VSX50T-1FFG665C
Xilinx Inc.
LFE3-95E-7FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
MPM7128SQC100AC
Intel