Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / IPB65R045C7ATMA2
Herstellerteilenummer | IPB65R045C7ATMA2 |
---|---|
Zukünftige Teilenummer | FT-IPB65R045C7ATMA2 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | CoolMOS™ C7 |
IPB65R045C7ATMA2 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 650V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 46A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 45 mOhm @ 24.9A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1.25mA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 93nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 4340pF @ 400V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 227W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | PG-TO263-3 |
Paket / fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPB65R045C7ATMA2 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | IPB65R045C7ATMA2-FT |
IPB100N08S2L07ATMA1
Infineon Technologies
IPB100N10S305ATMA1
Infineon Technologies
IPB100N12S305ATMA1
Infineon Technologies
IPB107N20N3GATMA1
Infineon Technologies
IPB107N20NAATMA1
Infineon Technologies
IPB110N06L G
Infineon Technologies
IPB114N03L G
Infineon Technologies
IPB117N20NFDATMA1
Infineon Technologies
IPB11N03LA
Infineon Technologies
IPB11N03LA G
Infineon Technologies
LFXP6E-3TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
EX64-TQG100I
Microsemi Corporation
XCV1000E-8FG900C
Xilinx Inc.
A3P400-1FGG484I
Microsemi Corporation
A3P600-1FG256I
Microsemi Corporation
EP3SE50F484I3
Intel
EP2AGX125DF25C5N
Intel
5SGXMA7N2F45I2N
Intel
5SGXMA5H2F35C2LN
Intel
EP3SL150F780C4
Intel