Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / IPB65R065C7ATMA1
Herstellerteilenummer | IPB65R065C7ATMA1 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-IPB65R065C7ATMA1 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | CoolMOS™ P6 |
IPB65R065C7ATMA1 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Discontinued at Future Semiconductor |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 600V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 7.3A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 600 mOhm @ 2.4A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 200µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 12nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 557pF @ 100V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 171W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | D²PAK (TO-263AB) |
Paket / fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPB65R065C7ATMA1 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | IPB65R065C7ATMA1-FT |
IPB100N10S305ATMA1
Infineon Technologies
IPB100N12S305ATMA1
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IPB107N20N3GATMA1
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IPB107N20NAATMA1
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IPB110N06L G
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IPB114N03L G
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IPB117N20NFDATMA1
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IPB11N03LA
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IPB11N03LA G
Infineon Technologies
IPB120N03S4L03ATMA1
Infineon Technologies
XCV1000E-8FG900C
Xilinx Inc.
LCMXO640C-4FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-9400C-5BG484I
Lattice Semiconductor Corporation
M1AGL250V2-VQ100
Microsemi Corporation
M1AGL250V5-VQG100
Microsemi Corporation
EP2S60F484C5
Intel
5SGXMA7K3F40C3
Intel
XC4020E-2HQ208I
Xilinx Inc.
5AGXMA7G4F35I5N
Intel
EPF8820QC160-4
Intel