Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / IPB80N06S3-05
Herstellerteilenummer | IPB80N06S3-05 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-IPB80N06S3-05 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | OptiMOS™ |
IPB80N06S3-05 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 55V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 80A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.1 mOhm @ 63A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 110µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 240nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 10760pF @ 25V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 165W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | PG-TO263-3-2 |
Paket / fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPB80N06S3-05 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | IPB80N06S3-05-FT |
IPB60R080P7ATMA1
Infineon Technologies
IPB60R099CPAATMA1
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IPB60R099CPATMA1
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IPB60R099P7ATMA1
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IPB60R120P7ATMA1
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IPB60R190C6ATMA1
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XA3S500E-4FTG256I
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XA6SLX25T-3FGG484Q
Xilinx Inc.
A54SX32A-FGG484
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APA300-BGG456M
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A54SX16A-FGG256I
Microsemi Corporation
AT40K20-2AQC
Microchip Technology
EP2S30F672C4
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10M40DCF672C7G
Intel
A42MX16-3PQ100
Microsemi Corporation
EP4CGX22CF19C6N
Intel