Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / IPC100N04S52R8ATMA1
Herstellerteilenummer | IPC100N04S52R8ATMA1 |
---|---|
Zukünftige Teilenummer | FT-IPC100N04S52R8ATMA1 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | OptiMOS™ |
IPC100N04S52R8ATMA1 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 40V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 100A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 7V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.8 mOhm @ 50A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.4V @ 30µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 45nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2600pF @ 25V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 75W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | PG-TDSON-8-34 |
Paket / fall | 8-PowerTDFN |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPC100N04S52R8ATMA1 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | IPC100N04S52R8ATMA1-FT |
BSC0503NSIATMA1
Infineon Technologies
BSC0504NSIATMA1
Infineon Technologies
BSC050N03MSGATMA1
Infineon Technologies
BSC052N03S G
Infineon Technologies
BSC052N08NS5ATMA1
Infineon Technologies
BSC054N04NSGATMA1
Infineon Technologies
BSC057N03LSGATMA1
Infineon Technologies
BSC057N03MSGATMA1
Infineon Technologies
BSC057N08NS3GATMA1
Infineon Technologies
BSC059N03S G
Infineon Technologies
A54SX16A-2TQ144I
Microsemi Corporation
XC3S400-4FG320I
Xilinx Inc.
XC3S700AN-4FGG484I
Xilinx Inc.
5SGXMA3E1H29I2N
Intel
5SGSMD8N3F45I3N
Intel
5SGXMA4H3F35I4N
Intel
XC5VLX155-2FFG1760C
Xilinx Inc.
XC6VLX195T-2FFG784C
Xilinx Inc.
XC6VLX195T-2FFG784I
Xilinx Inc.
LCMXO2280E-4MN132I
Lattice Semiconductor Corporation