Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / IPC100N04S5L2R6ATMA1
Herstellerteilenummer | IPC100N04S5L2R6ATMA1 |
---|---|
Zukünftige Teilenummer | FT-IPC100N04S5L2R6ATMA1 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ |
IPC100N04S5L2R6ATMA1 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 40V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 100A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.6 mOhm @ 50A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 30µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 55nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±16V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2925pF @ 25V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 75W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | PG-TDSON-8-34 |
Paket / fall | 8-PowerTDFN |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPC100N04S5L2R6ATMA1 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | IPC100N04S5L2R6ATMA1-FT |
BSC052N03S G
Infineon Technologies
BSC052N08NS5ATMA1
Infineon Technologies
BSC054N04NSGATMA1
Infineon Technologies
BSC057N03LSGATMA1
Infineon Technologies
BSC057N03MSGATMA1
Infineon Technologies
BSC057N08NS3GATMA1
Infineon Technologies
BSC059N03S G
Infineon Technologies
BSC059N04LSGATMA1
Infineon Technologies
BSC060P03NS3EGATMA1
Infineon Technologies
BSC061N08NS5ATMA1
Infineon Technologies
M2GL025T-1VFG256I
Microsemi Corporation
EPF10K10ATC100-1
Intel
EPF10K130EFC484-1N
Intel
5SGSED6K2F40I3L
Intel
5SGSMD8K2F40I2LN
Intel
5SGXEA3K3F35C2N
Intel
XC6VLX240T-L1FFG1759I
Xilinx Inc.
XC4VLX60-12FFG1148C
Xilinx Inc.
XC5VLX30-1FFG676C
Xilinx Inc.
EP20K100FI324-2XV
Intel