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Infineon Technologies IPC302N08N3X1SA1

MFG-Teilenummer
IPC302N08N3X1SA1
verfügbare Anzahl
11080 Stücke
Referenzpreis
USD 2.30732
Unser Preis
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Versanddatum
Wir können heute ausliefern
Hersteller
Infineon Technologies
Kurze Beschreibung
OptiMOS™ MOSFET N-CH 80V 1A SAWN ON FOIL
Bleifreier Status / RoHS-Status
RoHS-konform (bleifrei)
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
1 (unbegrenzt)
Datumscode (D / C)
Neu
Produktkategorie
Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
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Franchise-Händler
Garantie
360 Tage Qualitätsgarantie
Datenblatt
IPC302N08N3X1SA1.pdf
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IPC302N08N3X1SA1 Spezifikationen

Herstellerteilenummer IPC302N08N3X1SA1
Zukünftige Teilenummer FT-IPC302N08N3X1SA1
SPQ / MOQ kontaktiere uns
Verpackungsmaterial Reel/Tray/Tube/Others
Serie OptiMOS™
IPC302N08N3X1SA1 Status (Lebenszyklus) Auf Lager
Teilestatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 80V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C 1A (Tj)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 100 mOhm @ 2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 270µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs -
Vgs (Max) -
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds -
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) -
Betriebstemperatur -
Befestigungsart Surface Mount
Supplier Device Package Sawn on foil
Paket / fall Die
Herkunftsland USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IPC302N08N3X1SA1 Gewicht kontaktiere uns
Ersatzteilnummer IPC302N08N3X1SA1-FT

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