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Infineon Technologies IPD082N10N3GBTMA1

Name: IPD082N10N3GBTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPD082N10N3GBTMA1
Availability: InStock
Rating: 4.7 (441 reviews)

MFG-Teilenummer: IPD082N10N3GBTMA1

verfügbare Anzahl: 35240 Stücke

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Hersteller: Infineon Technologies

Kurze Beschreibung: OptiMOS™ MOSFET N-CH 100V 80A TO252-3

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: IPD082N10N3GBTMA1.pdf

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IPD082N10N3GBTMA1 Spezifikationen

Herstellerteilenummer	IPD082N10N3GBTMA1
Zukünftige Teilenummer	FT-IPD082N10N3GBTMA1
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	OptiMOS™
IPD082N10N3GBTMA1 Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Obsolete
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	80A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	8.2 mOhm @ 73A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.5V @ 75µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	55nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	3980pF @ 50V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	125W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Supplier Device Package	PG-TO252-3
Paket / fall	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IPD082N10N3GBTMA1 Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	IPD082N10N3GBTMA1-FT

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