Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / IPD10N03LA G
Herstellerteilenummer | IPD10N03LA G |
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Zukünftige Teilenummer | FT-IPD10N03LA G |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | OptiMOS™ |
IPD10N03LA G Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 25V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 30A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10.4 mOhm @ 30A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 20µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 11nC @ 5V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1358pF @ 15V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 52W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | PG-TO252-3 |
Paket / fall | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPD10N03LA G Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | IPD10N03LA G-FT |
BTS247Z E3062A
Infineon Technologies
BTS247ZE3062AATMA2
Infineon Technologies
IPD30N03S4L09ATMA1
Infineon Technologies
IPD60R380C6ATMA1
Infineon Technologies
IPD088N06N3GBTMA1
Infineon Technologies
SPD09P06PLGBTMA1
Infineon Technologies
SPD06N80C3ATMA1
Infineon Technologies
SPD30P06PGBTMA1
Infineon Technologies
IPD031N06L3GATMA1
Infineon Technologies
IPD036N04LGBTMA1
Infineon Technologies
XC3S200-4FTG256I
Xilinx Inc.
XC4020XL-1PQ208C
Xilinx Inc.
M1AFS250-FG256
Microsemi Corporation
10M40DCF256C7G
Intel
5SGSED8K2F40I2N
Intel
XC2V2000-5FF896I
Xilinx Inc.
M2GL060T-FGG676
Microsemi Corporation
A40MX04-PQG100M
Microsemi Corporation
LFEC15E-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1SGX40GF1020I6
Intel