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Infineon Technologies SPD06N80C3ATMA1
- MFG-Teilenummer
- SPD06N80C3ATMA1
- verfügbare Anzahl
- 31090 Stücke
- Referenzpreis
- USD 0.759376
- Unser Preis
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- Versanddatum
- Wir können heute ausliefern
- Hersteller
- Infineon Technologies
- Kurze Beschreibung
- CoolMOS™ MOSFET N-CH 800V 6A 3TO252
- Bleifreier Status / RoHS-Status
- RoHS-konform (bleifrei)
- Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
- 1 (unbegrenzt)
- Datumscode (D / C)
- Neu
- Produktkategorie
- Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
- Lagerressource
- Franchise-Händler
- Garantie
- 360 Tage Qualitätsgarantie
- Datenblatt
- SPD06N80C3ATMA1.pdf
SPD06N80C3ATMA1 Spezifikationen
| Herstellerteilenummer | SPD06N80C3ATMA1 |
|---|---|
| Zukünftige Teilenummer | FT-SPD06N80C3ATMA1 |
| SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
| Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
| Serie | CoolMOS™ |
| SPD06N80C3ATMA1 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
| Teilestatus | Active |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 800V |
| Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 6A (Ta) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 900 mOhm @ 3.8A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.9V @ 250µA |
| Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 41nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 785pF @ 100V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 83W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Supplier Device Package | PG-TO252-3 |
| Paket / fall | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| SPD06N80C3ATMA1 Gewicht | kontaktiere uns |
| Ersatzteilnummer | SPD06N80C3ATMA1-FT |
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