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Infineon Technologies IPD12CNE8N G

Name: IPD12CNE8N G
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPD12CNE8N G
Availability: InStock
Rating: 5.0 (206 reviews)

MFG-Teilenummer: IPD12CNE8N G

verfügbare Anzahl: 13490 Stücke

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Hersteller: Infineon Technologies

Kurze Beschreibung: OptiMOS™ MOSFET N-CH 85V 67A TO252-3

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: IPD12CNE8N G.pdf

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IPD12CNE8N G Spezifikationen

Herstellerteilenummer	IPD12CNE8N G
Zukünftige Teilenummer	FT-IPD12CNE8N G
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	OptiMOS™
IPD12CNE8N G Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Obsolete
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	85V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	67A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	12.4 mOhm @ 67A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 83µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	64nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	4340pF @ 40V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	125W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Supplier Device Package	PG-TO252-3
Paket / fall	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IPD12CNE8N G Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	IPD12CNE8N G-FT

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