Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / IPD30N06S223ATMA2
Herstellerteilenummer | IPD30N06S223ATMA2 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-IPD30N06S223ATMA2 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | OptiMOS™ |
IPD30N06S223ATMA2 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 55V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 30A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 23 mOhm @ 21A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 50µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 32nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 901pF @ 25V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 100W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | PG-TO252-3-11 |
Paket / fall | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPD30N06S223ATMA2 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | IPD30N06S223ATMA2-FT |
IPD30N06S4L23ATMA2
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A1010B-2VQ80I
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EPF10K30ATC144-1
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XC3S500E-4PQ208I
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AFS090-2FG256I
Microsemi Corporation
AGL1000V5-FGG256I
Microsemi Corporation
LCMXO3L-4300C-5BG324I
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10AX022E3F29I2LG
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