Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / IPD50N06S214ATMA2
Herstellerteilenummer | IPD50N06S214ATMA2 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-IPD50N06S214ATMA2 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | OptiMOS™ |
IPD50N06S214ATMA2 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 55V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 50A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14.4 mOhm @ 32A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 80µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 52nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1485pF @ 25V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 136W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | PG-TO252-3-11 |
Paket / fall | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPD50N06S214ATMA2 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | IPD50N06S214ATMA2-FT |
IPD03N03LA G
Infineon Technologies
IPD03N03LB G
Infineon Technologies
IPD040N03LGATMA1
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IPD040N03LGBTMA1
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IPD042P03L3GATMA1
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IPD042P03L3GBTMA1
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IPD048N06L3GBTMA1
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IPD04N03LA G
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IPD04N03LB G
Infineon Technologies
IPD050N03LGATMA1
Infineon Technologies
EX128-TQ100
Microsemi Corporation
XC3S50A-4VQG100I
Xilinx Inc.
A54SX32A-1CQ256
Microsemi Corporation
A3P1000-PQ208
Microsemi Corporation
A42MX16-VQG100M
Microsemi Corporation
EP1SGX10CF672C7N
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10AX016C3U19I2LG
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5SGXEA7H3F35I4
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EP3SE50F780I3
Intel