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Infineon Technologies IPD03N03LA G

MFG-Teilenummer
IPD03N03LA G
verfügbare Anzahl
71550 Stücke
Referenzpreis
USD 0
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Versanddatum
Wir können heute ausliefern
Hersteller
Infineon Technologies
Kurze Beschreibung
OptiMOS™ MOSFET N-CH 25V 90A TO-252
Bleifreier Status / RoHS-Status
RoHS-konform (bleifrei)
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
1 (unbegrenzt)
Datumscode (D / C)
Neu
Produktkategorie
Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
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Garantie
360 Tage Qualitätsgarantie
Datenblatt
IPD03N03LA G.pdf
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IPD03N03LA G Spezifikationen

Herstellerteilenummer IPD03N03LA G
Zukünftige Teilenummer FT-IPD03N03LA G
SPQ / MOQ kontaktiere uns
Verpackungsmaterial Reel/Tray/Tube/Others
Serie OptiMOS™
IPD03N03LA G Status (Lebenszyklus) Auf Lager
Teilestatus Obsolete
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 25V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C 90A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.2 mOhm @ 60A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 70µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs 41nC @ 5V
Vgs (Max) ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 5200pF @ 15V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 115W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Supplier Device Package PG-TO252-3
Paket / fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Herkunftsland USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IPD03N03LA G Gewicht kontaktiere uns
Ersatzteilnummer IPD03N03LA G-FT

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