Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / IPD50R3K0CEAUMA1
Herstellerteilenummer | IPD50R3K0CEAUMA1 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-IPD50R3K0CEAUMA1 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | CoolMOS™ CE |
IPD50R3K0CEAUMA1 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 500V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 1.7A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 13V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3 Ohm @ 400mA, 13V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 30µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 4.3nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 84pF @ 100V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 26W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | PG-TO252-3 |
Paket / fall | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPD50R3K0CEAUMA1 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | IPD50R3K0CEAUMA1-FT |
IPD06N03LA G
Infineon Technologies
IPD06N03LB G
Infineon Technologies
IPD075N03LGATMA1
Infineon Technologies
IPD075N03LGBTMA1
Infineon Technologies
IPD082N10N3GATMA1
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IPD082N10N3GBTMA1
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IPD088N04LGBTMA1
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IPD090N03LGATMA1
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IPD096N08N3GATMA1
Infineon Technologies
IPD096N08N3GBTMA1
Infineon Technologies
AT6010ALV-4AC
Microchip Technology
EX64-TQ100I
Microsemi Corporation
XC4005XL-3VQ100I
Xilinx Inc.
M1A3P600L-1FGG484I
Microsemi Corporation
LFE5UM-85F-7BG756I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K200EFC484-2XN
Intel
5SGXEA5K3F40I3LN
Intel
EP4CE6E22C8N
Intel
LFEC6E-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA3H2F35I3LN
Intel