Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / IPD50R3K0CEAUMA1
Herstellerteilenummer | IPD50R3K0CEAUMA1 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-IPD50R3K0CEAUMA1 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | CoolMOS™ CE |
IPD50R3K0CEAUMA1 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 500V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 1.7A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 13V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3 Ohm @ 400mA, 13V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 30µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 4.3nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 84pF @ 100V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 26W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | PG-TO252-3 |
Paket / fall | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPD50R3K0CEAUMA1 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | IPD50R3K0CEAUMA1-FT |
IPD06N03LA G
Infineon Technologies
IPD06N03LB G
Infineon Technologies
IPD075N03LGATMA1
Infineon Technologies
IPD075N03LGBTMA1
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IPD082N10N3GATMA1
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IPD082N10N3GBTMA1
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IPD088N04LGBTMA1
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IPD090N03LGATMA1
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IPD096N08N3GATMA1
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IPD096N08N3GBTMA1
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XC3S200A-4FT256I
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XC3S2000-4FG456C
Xilinx Inc.
A42MX09-VQ100I
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XC6SLX4-2CSG225I
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AGL600V2-CSG281
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Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL50F780C4
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