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Infineon Technologies IPD50R3K0CEAUMA1

MFG-Teilenummer
IPD50R3K0CEAUMA1
verfügbare Anzahl
42120 Stücke
Referenzpreis
USD 0.14008
Unser Preis
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Versanddatum
Wir können heute ausliefern
Hersteller
Infineon Technologies
Kurze Beschreibung
CoolMOS™ CE MOSFET N-CH 500V 1.7A PG-TO-252
Bleifreier Status / RoHS-Status
RoHS-konform (bleifrei)
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
1 (unbegrenzt)
Datumscode (D / C)
Neu
Produktkategorie
Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
Lagerressource
Franchise-Händler
Garantie
360 Tage Qualitätsgarantie
Datenblatt
IPD50R3K0CEAUMA1.pdf
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IPD50R3K0CEAUMA1 Spezifikationen

Herstellerteilenummer IPD50R3K0CEAUMA1
Zukünftige Teilenummer FT-IPD50R3K0CEAUMA1
SPQ / MOQ kontaktiere uns
Verpackungsmaterial Reel/Tray/Tube/Others
Serie CoolMOS™ CE
IPD50R3K0CEAUMA1 Status (Lebenszyklus) Auf Lager
Teilestatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 500V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C 1.7A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3 Ohm @ 400mA, 13V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 30µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs 4.3nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 84pF @ 100V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 26W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Supplier Device Package PG-TO252-3
Paket / fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Herkunftsland USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IPD50R3K0CEAUMA1 Gewicht kontaktiere uns
Ersatzteilnummer IPD50R3K0CEAUMA1-FT

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