Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / IPD5N03LAG
Herstellerteilenummer | IPD5N03LAG |
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Zukünftige Teilenummer | FT-IPD5N03LAG |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | OptiMOS™ |
IPD5N03LAG Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Discontinued at Future Semiconductor |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 25V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 50A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.2 mOhm @ 50A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 35µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 22nC @ 5V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2653pF @ 15V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | - |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | PG-TO252-3 |
Paket / fall | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPD5N03LAG Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | IPD5N03LAG-FT |
IPD105N03LGATMA1
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