Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / IPD60R1K4C6ATMA1
Herstellerteilenummer | IPD60R1K4C6ATMA1 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-IPD60R1K4C6ATMA1 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | CoolMOS™ C6 |
IPD60R1K4C6ATMA1 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 600V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 3.2A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.4 Ohm @ 1.1A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 90µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 9.4nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 200pF @ 100V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 28.4W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | PG-TO252-3 |
Paket / fall | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPD60R1K4C6ATMA1 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | IPD60R1K4C6ATMA1-FT |
IPD122N10N3GATMA1
Infineon Technologies
IPD122N10N3GBTMA1
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IPD127N06LGBTMA1
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IPD13N03LA G
Infineon Technologies
XC3S1600E-5FGG320C
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XC3S250E-4VQ100I
Xilinx Inc.
M1AGL600V5-FG484I
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LCMXO3LF-6900C-6BG400C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CGX50CF23C7
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5SGXEA3K1F40C2L
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5SGXMA3K2F40C2LN
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5SGXEB6R3F43C2LN
Intel
XC6VLX195T-3FFG784C
Xilinx Inc.
5CGXFC4C7U19C8N
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