Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / IPD60R520C6ATMA1
Herstellerteilenummer | IPD60R520C6ATMA1 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-IPD60R520C6ATMA1 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | CoolMOS™ C6 |
IPD60R520C6ATMA1 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 600V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 8.1A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 520 mOhm @ 2.8A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 230µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 23.4nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 512pF @ 100V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 66W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | PG-TO252-3 |
Paket / fall | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPD60R520C6ATMA1 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | IPD60R520C6ATMA1-FT |
IPD15N06S2L64ATMA1
Infineon Technologies
IPD15N06S2L64ATMA2
Infineon Technologies
IPD160N04LGBTMA1
Infineon Technologies
IPD16CN10N G
Infineon Technologies
IPD16CNE8N G
Infineon Technologies
IPD170N04NGBTMA1
Infineon Technologies
IPD180N10N3GATMA1
Infineon Technologies
IPD200N15N3GBTMA1
Infineon Technologies
IPD20N03L
Infineon Technologies
IPD20N03L G
Infineon Technologies
A1020B-2VQ80I
Microsemi Corporation
XC7A50T-3FGG484E
Xilinx Inc.
5SGXMB6R2F40I2N
Intel
5SGSMD3E3H29C2N
Intel
EP2AGX125DF25I3N
Intel
XC5VLX110-3FFG1760C
Xilinx Inc.
LCMXO2-7000ZE-1FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HE-6MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBA7D4F31I5N
Intel
EP4SGX230HF35I4N
Intel