Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / IPD60R520C6ATMA1
Herstellerteilenummer | IPD60R520C6ATMA1 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-IPD60R520C6ATMA1 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | CoolMOS™ C6 |
IPD60R520C6ATMA1 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 600V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 8.1A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 520 mOhm @ 2.8A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 230µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 23.4nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 512pF @ 100V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 66W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | PG-TO252-3 |
Paket / fall | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPD60R520C6ATMA1 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | IPD60R520C6ATMA1-FT |
IPD15N06S2L64ATMA1
Infineon Technologies
IPD15N06S2L64ATMA2
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IPD160N04LGBTMA1
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IPD16CN10N G
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IPD16CNE8N G
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IPD170N04NGBTMA1
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IPD180N10N3GATMA1
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IPD20N03L
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IPD20N03L G
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A54SX16A-2TQ144I
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XC3S700AN-4FGG484I
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XC6VLX195T-2FFG784I
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