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Infineon Technologies IPD60R650CEBTMA1

Name: IPD60R650CEBTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPD60R650CEBTMA1
Availability: InStock
Rating: 4.8 (485 reviews)

MFG-Teilenummer: IPD60R650CEBTMA1

verfügbare Anzahl: 48450 Stücke

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Hersteller: Infineon Technologies

Kurze Beschreibung: CoolMOS™ CE MOSFET N-CH 600V 7A TO252

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: IPD60R650CEBTMA1.pdf

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IPD60R650CEBTMA1 Spezifikationen

Herstellerteilenummer	IPD60R650CEBTMA1
Zukünftige Teilenummer	FT-IPD60R650CEBTMA1
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	CoolMOS™ CE
IPD60R650CEBTMA1 Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Discontinued at Future Semiconductor
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	600V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	7A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	650 mOhm @ 2.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.5V @ 200µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	20.5nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	440pF @ 100V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	82W (Tc)
Betriebstemperatur	-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Supplier Device Package	PG-TO252-3
Paket / fall	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IPD60R650CEBTMA1 Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	IPD60R650CEBTMA1-FT

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