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Infineon Technologies IPD65R660CFDAATMA1

Name: IPD65R660CFDAATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPD65R660CFDAATMA1
Price: 0.713984 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (360 reviews)

MFG-Teilenummer: IPD65R660CFDAATMA1

verfügbare Anzahl: 86880 Stücke

Referenzpreis: USD 0.713984

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Hersteller: Infineon Technologies

Kurze Beschreibung: Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™ MOSFET N-CH TO252-3

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: IPD65R660CFDAATMA1.pdf

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IPD65R660CFDAATMA1 Spezifikationen

Herstellerteilenummer	IPD65R660CFDAATMA1
Zukünftige Teilenummer	FT-IPD65R660CFDAATMA1
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™
IPD65R660CFDAATMA1 Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Active
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	650V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	6A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	660 mOhm @ 3.22A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4.5V @ 214.55µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	20nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	543pF @ 100V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	62.5W (Tc)
Betriebstemperatur	-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Supplier Device Package	PG-TO252-3
Paket / fall	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IPD65R660CFDAATMA1 Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	IPD65R660CFDAATMA1-FT

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