Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / IPD70R1K4CEAUMA1
Herstellerteilenummer | IPD70R1K4CEAUMA1 |
---|---|
Zukünftige Teilenummer | FT-IPD70R1K4CEAUMA1 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | CoolMOS™ |
IPD70R1K4CEAUMA1 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 700V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 5.4A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.4 Ohm @ 1A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 130µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 10.5nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 225pF @ 100V |
FET-Funktion | Super Junction |
Verlustleistung (max.) | 53W (Tc) |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | PG-TO252-3 |
Paket / fall | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPD70R1K4CEAUMA1 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | IPD70R1K4CEAUMA1-FT |
IPD50N06S2L13ATMA2
Infineon Technologies
IPD50N06S409ATMA1
Infineon Technologies
IPD50N06S409ATMA2
Infineon Technologies
IPD50N06S4L08ATMA1
Infineon Technologies
IPD50N06S4L08ATMA2
Infineon Technologies
IPD50N06S4L12ATMA1
Infineon Technologies
IPD50N10S3L16ATMA1
Infineon Technologies
IPD50P03P4L11ATMA1
Infineon Technologies
IPD50R1K4CEAUMA1
Infineon Technologies
IPD50R1K4CEBTMA1
Infineon Technologies