Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / IPD80R1K4P7ATMA1
Herstellerteilenummer | IPD80R1K4P7ATMA1 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-IPD80R1K4P7ATMA1 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | CoolMOS™ |
IPD80R1K4P7ATMA1 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 800V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 4A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.4 Ohm @ 1.4A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 700µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 10nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 250pF @ 500V |
FET-Funktion | Super Junction |
Verlustleistung (max.) | 32W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | TO-252 |
Paket / fall | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPD80R1K4P7ATMA1 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | IPD80R1K4P7ATMA1-FT |
BSP123E6327T
Infineon Technologies
BSP123L6327HTSA1
Infineon Technologies
BSP125 E6327
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BSP125 E6433
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BSP125H6327XTSA1
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BSP125H6433XTMA1
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BSP125L6327HTSA1
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BSP125L6433HTMA1
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BSP129E6327
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BSP129E6327T
Infineon Technologies
A1010B-2VQ80I
Microsemi Corporation
EPF10K30ATC144-1
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XC3S500E-4PQ208I
Xilinx Inc.
AFS090-2FG256I
Microsemi Corporation
AGL1000V5-FGG256I
Microsemi Corporation
LCMXO3L-4300C-5BG324I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2C20F484C6
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10AX022E3F29I2LG
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5CGXBC9A7U19C8N
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