Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / IPD80R1K4P7ATMA1
Herstellerteilenummer | IPD80R1K4P7ATMA1 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-IPD80R1K4P7ATMA1 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | CoolMOS™ |
IPD80R1K4P7ATMA1 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 800V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 4A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.4 Ohm @ 1.4A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 700µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 10nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 250pF @ 500V |
FET-Funktion | Super Junction |
Verlustleistung (max.) | 32W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | TO-252 |
Paket / fall | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPD80R1K4P7ATMA1 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | IPD80R1K4P7ATMA1-FT |
BSP123E6327T
Infineon Technologies
BSP123L6327HTSA1
Infineon Technologies
BSP125 E6327
Infineon Technologies
BSP125 E6433
Infineon Technologies
BSP125H6327XTSA1
Infineon Technologies
BSP125H6433XTMA1
Infineon Technologies
BSP125L6327HTSA1
Infineon Technologies
BSP125L6433HTMA1
Infineon Technologies
BSP129E6327
Infineon Technologies
BSP129E6327T
Infineon Technologies
XC7A15T-2FTG256C
Xilinx Inc.
XCKU035-L1FFVA1156I
Xilinx Inc.
A3PN030-Z1QNG48
Microsemi Corporation
M2GL025T-VFG400
Microsemi Corporation
EP3C5E144C7
Intel
XC7A200T-1FF1156I
Xilinx Inc.
A3P1000-1FGG144I
Microsemi Corporation
AGL600V2-FG144I
Microsemi Corporation
EP2AGX125EF29C6N
Intel
EP20K100EBI356-2X
Intel