Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / IPD80R450P7ATMA1
Herstellerteilenummer | IPD80R450P7ATMA1 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-IPD80R450P7ATMA1 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | CoolMOS™ |
IPD80R450P7ATMA1 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 800V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 11A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 450 mOhm @ 4.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 220µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 24nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 770pF @ 500V |
FET-Funktion | Super Junction |
Verlustleistung (max.) | 73W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | TO-252 |
Paket / fall | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPD80R450P7ATMA1 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | IPD80R450P7ATMA1-FT |
BSP123L6327HTSA1
Infineon Technologies
BSP125 E6327
Infineon Technologies
BSP125 E6433
Infineon Technologies
BSP125H6327XTSA1
Infineon Technologies
BSP125H6433XTMA1
Infineon Technologies
BSP125L6327HTSA1
Infineon Technologies
BSP125L6433HTMA1
Infineon Technologies
BSP129E6327
Infineon Technologies
BSP129E6327T
Infineon Technologies
BSP129H6906XTSA1
Infineon Technologies
XC3S700A-4FGG400C
Xilinx Inc.
ICE5LP4K-SWG36ITR
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN030-Z1VQG100I
Microsemi Corporation
EP2S15F672C5
Intel
5SGSMD5K2F40C2N
Intel
XC5VLX110-3FF1153C
Xilinx Inc.
XC7A100T-1CSG324I
Xilinx Inc.
A42MX16-3PQ100I
Microsemi Corporation
EPF10K100EQC240-1X
Intel
EP20K160EQC208-1
Intel