Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / IPD90N06S407ATMA2
Herstellerteilenummer | IPD90N06S407ATMA2 |
---|---|
Zukünftige Teilenummer | FT-IPD90N06S407ATMA2 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ |
IPD90N06S407ATMA2 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 60V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 90A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.9 mOhm @ 90A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 40µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 56nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | - |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 79W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | PG-TO252-3-11 |
Paket / fall | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPD90N06S407ATMA2 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | IPD90N06S407ATMA2-FT |
IPD50R520CP
Infineon Technologies
IPD50R650CEATMA1
Infineon Technologies
IPD50R650CEBTMA1
Infineon Technologies
IPD50R800CEATMA1
Infineon Technologies
IPD50R800CEBTMA1
Infineon Technologies
IPD50R950CEATMA1
Infineon Technologies
IPD50R950CEBTMA1
Infineon Technologies
IPD530N15N3GATMA1
Infineon Technologies
IPD530N15N3GBTMA1
Infineon Technologies
IPD5N03LAG
Infineon Technologies
XC6SLX150-3FG676I
Xilinx Inc.
XC3S1400A-5FG484C
Xilinx Inc.
AGL600V5-FG484I
Microsemi Corporation
LAXP2-8E-5FTN256E
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-1200HC-5SG32C
Lattice Semiconductor Corporation
A40MX04-3PL68I
Microsemi Corporation
5SGSED8N2F45I2
Intel
5SGXEBBR2H43I3L
Intel
LFEC10E-3F256C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K10QC208-3N
Intel