Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / IPD90N06S4L03ATMA2
Herstellerteilenummer | IPD90N06S4L03ATMA2 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-IPD90N06S4L03ATMA2 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ |
IPD90N06S4L03ATMA2 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 60V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 90A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.5 mOhm @ 90A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 90µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 170nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±16V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 13000pF @ 25V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 150W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | PG-TO252-3-11 |
Paket / fall | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPD90N06S4L03ATMA2 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | IPD90N06S4L03ATMA2-FT |
IPD50R650CEBTMA1
Infineon Technologies
IPD50R800CEATMA1
Infineon Technologies
IPD50R800CEBTMA1
Infineon Technologies
IPD50R950CEATMA1
Infineon Technologies
IPD50R950CEBTMA1
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IPD530N15N3GATMA1
Infineon Technologies
IPD530N15N3GBTMA1
Infineon Technologies
IPD5N03LAG
Infineon Technologies
IPD600N25N3GATMA1
Infineon Technologies
IPD600N25N3GBTMA1
Infineon Technologies
XA6SLX45-3FGG484Q
Xilinx Inc.
A42MX36-2BGG272I
Microsemi Corporation
M2GL090-FGG484
Microsemi Corporation
MPF300T-1FCG1152E
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-4FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL200F1517C2N
Intel
5SGXMA3K2F35I3N
Intel
XC5VSX50T-1FFG665C
Xilinx Inc.
LFE3-95E-7FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
MPM7128SQC100AC
Intel