Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / IPD90N06S4L06ATMA1
Herstellerteilenummer | IPD90N06S4L06ATMA1 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-IPD90N06S4L06ATMA1 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | OptiMOS™ |
IPD90N06S4L06ATMA1 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Discontinued at Future Semiconductor |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 60V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 90A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.3 mOhm @ 90A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 40µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 75nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±16V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 5680pF @ 25V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 79W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | PG-TO252-3 |
Paket / fall | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPD90N06S4L06ATMA1 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | IPD90N06S4L06ATMA1-FT |
IPD50R950CEATMA1
Infineon Technologies
IPD50R950CEBTMA1
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IPD530N15N3GATMA1
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IPD530N15N3GBTMA1
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IPD600N25N3GBTMA1
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IPD60R170CFD7ATMA1
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IPD60R180C7ATMA1
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IPD60R1K4C6
Infineon Technologies
A3PE600-2FGG484I
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M1A3P600-2PQ208
Microsemi Corporation
LFE3-35EA-8LFTN256C
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AGLN060V5-ZVQ100
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10M25DAF256C7G
Intel
EP3SE260F1152I3
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LCMXO640C-4M100C
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EP3SE110F780C2
Intel
10AX048E2F29I1HG
Intel
EP20K60EQC208-1
Intel