Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / IPD90N06S4L06ATMA1
Herstellerteilenummer | IPD90N06S4L06ATMA1 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-IPD90N06S4L06ATMA1 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | OptiMOS™ |
IPD90N06S4L06ATMA1 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Discontinued at Future Semiconductor |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 60V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 90A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.3 mOhm @ 90A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 40µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 75nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±16V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 5680pF @ 25V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 79W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | PG-TO252-3 |
Paket / fall | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPD90N06S4L06ATMA1 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | IPD90N06S4L06ATMA1-FT |
IPD50R950CEATMA1
Infineon Technologies
IPD50R950CEBTMA1
Infineon Technologies
IPD530N15N3GATMA1
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IPD530N15N3GBTMA1
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IPD5N03LAG
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IPD600N25N3GATMA1
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IPD600N25N3GBTMA1
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IPD60R170CFD7ATMA1
Infineon Technologies
IPD60R180C7ATMA1
Infineon Technologies
IPD60R1K4C6
Infineon Technologies
XCV200-5FG256I
Xilinx Inc.
APA150-FGG256
Microsemi Corporation
M7A3P1000-FGG256I
Microsemi Corporation
A40MX04-1PL68
Microsemi Corporation
EP1M350F780C6
Intel
LCMXO2-2000HE-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-40E-6FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066H1F34I1SG
Intel
EP1C6Q240C7N
Intel
EP1K100QC208-1GZ
Intel