Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / IPI120N06S4H1AKSA2
Herstellerteilenummer | IPI120N06S4H1AKSA2 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-IPI120N06S4H1AKSA2 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ |
IPI120N06S4H1AKSA2 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 60V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 120A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.4 mOhm @ 100A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 200µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 270nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 21900pF @ 25V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 250W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Supplier Device Package | PG-TO262-3-1 |
Paket / fall | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPI120N06S4H1AKSA2 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | IPI120N06S4H1AKSA2-FT |
SPD04P10PGBTMA1
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SPD06N60C3ATMA1
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SPD07N60S5T
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