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Herstellerteilenummer | SPD06N80C3BTMA1 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-SPD06N80C3BTMA1 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | CoolMOS™ |
SPD06N80C3BTMA1 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Discontinued at Future Semiconductor |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 800V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 6A (Ta) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 900 mOhm @ 3.8A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.9V @ 250µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 41nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 785pF @ 100V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 83W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | PG-TO252-3 |
Paket / fall | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SPD06N80C3BTMA1 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | SPD06N80C3BTMA1-FT |
IPD60R600C6BTMA1
Infineon Technologies
IPD60R600CPATMA1
Infineon Technologies
IPD60R600CPBTMA1
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IPD60R600E6ATMA1
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IPD60R950C6
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XC7S100-2FGGA484I
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M1A3P400-1FGG484
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A3P1000-FGG256
Microsemi Corporation
5SGXMB6R2F40I2LN
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