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Infineon Technologies IPI65R280E6XKSA1

MFG-Teilenummer
IPI65R280E6XKSA1
verfügbare Anzahl
12960 Stücke
Referenzpreis
USD 1.319632
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Versanddatum
Wir können heute ausliefern
Hersteller
Infineon Technologies
Kurze Beschreibung
CoolMOS™ E6 MOSFET N-CH 650V 13.8A TO262
Bleifreier Status / RoHS-Status
RoHS-konform (bleifrei)
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
1 (unbegrenzt)
Datumscode (D / C)
Neu
Produktkategorie
Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
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Franchise-Händler
Garantie
360 Tage Qualitätsgarantie
Datenblatt
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IPI65R280E6XKSA1 Spezifikationen

Herstellerteilenummer IPI65R280E6XKSA1
Zukünftige Teilenummer FT-IPI65R280E6XKSA1
SPQ / MOQ kontaktiere uns
Verpackungsmaterial Reel/Tray/Tube/Others
Serie CoolMOS™ E6
IPI65R280E6XKSA1 Status (Lebenszyklus) Auf Lager
Teilestatus Not For New Designs
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C 13.8A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 280 mOhm @ 4.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 440µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs 45nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 950pF @ 100V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 104W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Supplier Device Package PG-TO262-3-1
Paket / fall TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Herkunftsland USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IPI65R280E6XKSA1 Gewicht kontaktiere uns
Ersatzteilnummer IPI65R280E6XKSA1-FT

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