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Infineon Technologies IPI80N06S2L11AKSA1

Name: IPI80N06S2L11AKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPI80N06S2L11AKSA1
Availability: InStock
Rating: 4.7 (137 reviews)

MFG-Teilenummer: IPI80N06S2L11AKSA1

verfügbare Anzahl: 95970 Stücke

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Hersteller: Infineon Technologies

Kurze Beschreibung: OptiMOS™ MOSFET N-CH 55V 80A TO262-3

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: IPI80N06S2L11AKSA1.pdf

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IPI80N06S2L11AKSA1 Spezifikationen

Herstellerteilenummer	IPI80N06S2L11AKSA1
Zukünftige Teilenummer	FT-IPI80N06S2L11AKSA1
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	OptiMOS™
IPI80N06S2L11AKSA1 Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Discontinued at Future Semiconductor
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	55V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	80A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	11 mOhm @ 60A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 93µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	80nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	2075pF @ 25V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	158W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole
Supplier Device Package	PG-TO262-3
Paket / fall	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IPI80N06S2L11AKSA1 Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	IPI80N06S2L11AKSA1-FT

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