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Infineon Technologies IPI076N12N3GAKSA1

MFG-Teilenummer
IPI076N12N3GAKSA1
verfügbare Anzahl
30950 Stücke
Referenzpreis
USD 1.476
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Versanddatum
Wir können heute ausliefern
Hersteller
Infineon Technologies
Kurze Beschreibung
OptiMOS™ MOSFET N-CH 120V 100A TO262-3
Bleifreier Status / RoHS-Status
RoHS-konform (bleifrei)
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
1 (unbegrenzt)
Datumscode (D / C)
Neu
Produktkategorie
Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
Lagerressource
Franchise-Händler
Garantie
360 Tage Qualitätsgarantie
Datenblatt
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IPI076N12N3GAKSA1 Spezifikationen

Herstellerteilenummer IPI076N12N3GAKSA1
Zukünftige Teilenummer FT-IPI076N12N3GAKSA1
SPQ / MOQ kontaktiere uns
Verpackungsmaterial Reel/Tray/Tube/Others
Serie OptiMOS™
IPI076N12N3GAKSA1 Status (Lebenszyklus) Auf Lager
Teilestatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 120V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C 100A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.6 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 130µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs 101nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 6640pF @ 60V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 188W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Supplier Device Package PG-TO262-3
Paket / fall TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Herkunftsland USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IPI076N12N3GAKSA1 Gewicht kontaktiere uns
Ersatzteilnummer IPI076N12N3GAKSA1-FT

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